Исследователи Ланкастерского Университета в Великобритании сделали значительный прорыв в разработке нового типа памяти под названием UltraRAM. Этот инновационный подход объединяет энергонезависимость накопителей на флеш-памяти и высокую скорость оперативной памяти, предлагая невиданные возможности хранения данных. UltraRAM основана на полупроводниковых соединениях, используемых в светодиодных технологиях, и обещает высокую энергоэффективность, долговечность и низкие задержки операций. Этот тип памяти также поддерживает концепцию «обработки в памяти», что позволяет снизить энергопотребление и улучшить производительность. Ученые работают над совершенствованием UltraRAM и его масштабируемостью для массового производства. Хотя стоимость UltraRAM может быть выше текущих модулей DDR и Intel Optane, она обещает значительные преимущества в производительности и надежности хранения данных, и может стать революционным решением для компьютеров и устройств, включая смартфоны
